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SRAM - BingNovice

2024 SRAM Red AXS groupset review

The derailleur setup tool is available in two sizes. Warren Rossiter / Our Media

As it is wireless, setting up any SRAM AXS groupset is about as simple as it gets.

The exception was its front derailleurs – in addition to moving in and out, SRAM front derailleurs arc as they move to limit the chance of the chain rub.

SRAM provides a new setup tool with Red AXS to accurately set the angle and gap of the cage in relation to the chainring. This holds the derailleur in place as you torque it into position. The tool comes in two sizes to suit different chaninrings.

It was easy to get the front shifting spot on the first time on my test bike using the tool.

The groupset is paired via the rear derailleur by pressing the AXS button on the derailleur body until it flashes green.

You then press the AXS buttons on each component until the rear derailleur light flashes rapidly. This indicates pairing the rear derailleur, which houses the brains of the system, was successful.

The groupset is quicker to set up versus a wired or semi-wireless electronic groupset.

You can pair the groupset to the AXS…

业界首款2nm SRAM，要来了！

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

Marvell定制SRAM提供业界最高的每平方毫米带宽，使芯片设计人员能够回收高达 2nm设计总面积的15%。

近日，Marvell推出业界首款 2nm 定制静态随机存取存储器 (SRAM)，旨在提升定制 XPU 以及驱动云数据中心和 AI 集群的设备的性能。Marvell定制 SRAM 结合了 Marvell 先进的定制电路和软件、核心 SRAM 和尖端的 2nm 制程技术，可提供高达 6 Gb 的高速内存，同时在同等密度下显著降低内存功耗和芯片面积。

SRAM代表静态随机存取存储器，它是一种存储器形式，在提供电源的情况下，数据处于静态状态。SRAM数据以位为单位存储，并且设计成在断电时立即清除。这也是为什么它被称为易失性内存的原因。SRAM中的静态一词指的是该数据不需要刷新（与DRAM相反），因此保持静态且不变化，这使得SRAM速度更快。

SRAM在1963年首次作为内存解决方案出现，由罗伯特·诺曼（Robert Norman）发明，并在1964年由约翰·施密特（John Schmidt）进一步发展。在这一发展之后，SRAM存储芯片成为下一个进展。SRAM芯片于1969年发布，并在发明后的五年内上市。

在现代，SRAM存储器已经发展出了几种不同类型或类别。SRAM类型包括触发器、伪静态、晶体管和非易失性类型。

内存速度可能是一个不太明确的术语，但是它指的是内存在从一个功能切换到另一个功能（从“读取”到“写入”）需要的时间。理解这一点很重要，因为如果内存可以更快地切换功能，数据传输和与另一个设备、电路或元件的通信速度也会提高。

SRAM是一种静态的存储器，因此不需要刷新即可保持最新。此外，SRAM使用更多的功率来存储数据，因为它需要更多的晶体管才能正常工作。但是这种额外的功耗带来了比等效形式的存储器更好的速度优势。

定制 SRAM 是 Marvell 的最新创新，旨在提升加速基础设施中内存层次结构的性能。Marvell 此前推出了其CXL技术用于集成到定制硅片中，为云服务器增加 TB 级内存和补充计算能力，并揭晓定制 HBM 技术这使得内存容量提高了 33%，同时减少了 XPU 内密集高带宽内存 (HBM) 堆栈所需的空间和功率。

Marvell 定制 SRAM 提供业界最高的每平方毫米带宽，使芯片设计人员能够回收高达 2nm 设计总面积的 15%。这些回收的硅片空间可用于集成更多计算核心、扩展内存、缩小设备尺寸和成本，或实现定制平衡，以满足特定的性能功耗、应用或 TCO 目标。Marvell 定制 SRAM 基于创新的数据路径和架构，在同等密度下，其功耗比标准片上 SRAM 降低高达 66%，同时运行频率高达 3.75 GHz。

“定制是 AI 基础设施的未来。目前超大规模计算架构商用于开发尖端定制 XPU 的方法和技术将渗透到更多客户、更多类型的设备和更多应用中。”Marvell 定制云解决方案高级副总裁 Will Chu“我们期待与合作伙伴和客户携手合作，打造定制时代的领先技术组合。”

“内存仍然是人工智能集群和云面临的最大挑战之一。这些系统需要尽可能大的内存，并尽可能快地运行，”650 集团联合创始人艾伦·韦克尔“Marvell 针对每个可用环节（包括芯片上、芯片封装内部以及系统内部）的内存性能提升问题采取了整体解决方案，这种方法非常引人注目，并凸显了通过定制可以实现的优势。”

虽然SRAM和DRAM都是随机存取存储器的形式，但是它们的结构上有所不同。DRAM代表动态随机存取存储器。这种存储器在结构上与SRAM有所不同，因为它使用电容器而不是反相器和晶体管进行存储。因此，这种存储器需要刷新并因此发生变化，因此被定义为“动态”的。不像SRAM，其存储器存储在芯片上，DRAM存储在与芯片外部的主板上，因此访问时间更长。这导致SRAM是一种比DRAM更快的存储器。

每种内存在设备中存储的位置也不同。DRAM通常用作主要的存储器，因此通常存储在主板上，但是由于SRAM是CPU中常用的存储器，因此最可能在处理器上找到。

最后，这两种内存在成本方面也有所不同。由于SRAM需要更多的功率来运行，因此与DRAM相比，它也是一种更昂贵的内存选择。这是SRAM不总是主存储系统的理想选择的另一个原因。

定制 SRAM 是 Marvell 定制技术平台的最新扩展，用于后摩尔定律时代的芯片开发。50 多年来，半导体性能和功耗的提升主要通过缩小晶体管尺寸来实现。随着晶体管尺寸缩小的成本和挑战急剧增加，半导体公司及其客户正在定制硅片，以更好地服务于客户独特的基础设施架构，尝试新的芯片和封装突破，并重新思考芯片设计的假设，以拓展计算的边界。

*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，请联系后台。

【免费下载】 深入探索SRAM单元：结构分析与Cadence仿真实验

【下载地址】静态随机存储器SRAM单元结构分析及Cadence仿真实验分享 本资源文件提供了关于静态随机存储器（SRAM）单元结构分析及Cadence仿真实验的详细报告。通过本实验，您将深入了解SRAM单元的读写机制，并通过Cadence软件进行仿真验证 项目地址: https://gitcode.com/Open-source-documentation-tutorial/764af

项目介绍

在现代电子工程领域，静态随机存储器（SRAM）作为一种高速、低功耗的存储技术，广泛应用于各种微处理器和嵌入式系统中。为了帮助电子工程、微电子等相关专业的学生和研究人员深入理解SRAM的工作原理，我们推出了“静态随机存储器SRAM单元结构分析及Cadence仿真实验”项目。该项目不仅提供了详细的SRAM单元结构分析，还通过Cadence软件进行仿真实验，帮助用户验证SRAM的读写机制。

项目技术分析

SRAM单元结构分析

SRAM单元是存储器中的基本存储单元，其结构和工作原理是理解整个存储器系统的基础。本项目详细介绍了SRAM单元的基本结构，包括存储单元的组成、读写操作的实现方式等。通过这些内容，用户可以深入了解SRAM单元如何在电路中实现数据的存储和读取。

Cadence仿真实验

为了验证SRAM单元的读写机制，本项目提供了基于Cadence软件的仿真实验。Cadence是一款广泛应用于集成电路设计和仿真的工具，通过使用Cadence进行仿真，用户可以直观地观察SRAM单元在不同操作条件下的行为，从而验证理论分析的正确性。实验步骤详细，适合初学者学习和参考。

项目及技术应用场景

学术研究

对于电子工程、微电子等相关专业的学生和研究人员，本项目提供了一个深入理解SRAM单元的机会。通过理论分析和仿真实验，用户可以掌握SRAM的基本原理，为后续的研究工作打下坚实的基础。

工程实践

对于从事集成电路设计和仿真的工程师和技术人员，本项目提供了一个实际操作的平台。通过使用Cadence软件进行仿真实验，用户可以验证SRAM单元的设计是否符合预期，从而优化电路设计，提高产品的性能。

教学辅助

对于希望通过实际仿真实验深入理解SRAM工作原理的学习者，本项目提供了一个完整的实验报告，涵盖了实验目的、实验步骤、仿真结果分析以及结论等内容。教师可以利用这些资源进行教学，帮助学生更好地理解SRAM的工作原理。

项目特点

理论与实践结合

本项目不仅提供了详细的SRAM单元结构分析，还通过Cadence仿真实验验证了理论分析的正确性。这种理论与实践相结合的方式，使得用户能够更全面地理解SRAM的工作原理。

详细实验步骤

本项目提供的实验步骤非常详细，适合初学者学习和参考。用户可以根据实验步骤逐步进行操作，从而掌握SRAM单元的仿真实验方法。

完整实验报告

本项目提供了一个完整的实验报告，涵盖了实验目的、实验步骤、仿真结果分析以及结论等内容。用户可以通过阅读实验报告，深入了解SRAM单元的仿真实验过程。

适用广泛

本项目适用于电子工程、微电子等相关专业的学生和研究人员，以及对SRAM单元结构和仿真感兴趣的工程师和技术人员。无论是学术研究、工程实践还是教学辅助，本项目都能提供有价值的参考。

通过“静态随机存储器SRAM单元结构分析及Cadence仿真实验”项目，您将能够深入理解SRAM的工作原理，并通过实际操作验证理论分析的正确性。无论您是学生、研究人员还是工程师，本项目都将为您提供宝贵的知识和经验。欢迎下载并使用本项目资源，开启您的SRAM探索之旅！

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