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Bloombergは2026年11月10日、関係者の話として、RapidusがSRAMセルの動作確認に至っておらず、2028年3月までに先端半導体の量産を開始するという目標の達成が難しくなった可能性を報じた。この報道を受けて注目すべきなのは、量産開始時期への影響だけではない。むしろ、それに先立つ2027年度の資金計画が、技術開発の遅れによってどのような影響を受けるかが重要になる。Rapidusが見込む約3,000億円の委託費は事業の進捗審査を、約4,000億円の民間融資は金融機関との交渉を経て確定するためだ。10月19日に財務省の審議会へ提出された資料でも、委託費は予算要求の段階にあり、融資についても交渉が続いている。
Bloombergの報道は、英字紙The Japan Timesにも転載された。関係者によると、Rapidusが予定どおり2nm半導体の量産を始めるには、2026年夏までにSRAMセルを動作させる必要があったが、現時点でも達成できておらず、開発は少なくとも数か月遅れているという。一方、Rapidusは2027年度後半の量産開始目標を維持していると報じられている。また、電波新聞デジタルは11月11日、量産開始を1年程度延期する案が浮上しており、2028年度にずれ込む可能性が高いと伝えた。
Rapidusの公式計画は、10月19日に開かれた財務省の財政投融資分科会に提出された、情報処理推進機構(IPA)の説明資料で確認できる。同社は北海道千歳市の工場「IIM-1」で2027年度後半に2nm世代の半導体量産を開始し、2029年度頃に営業キャッシュフローの黒字化、2031年度頃にフリーキャッシュフローの黒字化と株式上場を目指している。Bloombergが量産期限として挙げた2028年3月は、2027年度の最終月に当たる。これまでに公表された技術開発と資金調達の主な節目を整理すると、以下のようになる。
重要なのは、SRAMセルの動作確認が2026年夏までに必要だったという期限が、関係者の証言に基づく報道であり、Rapidusが公式に公表した開発上の節目ではないことだ。同社が公表してきた前工程の主な成果には、2025年7月のGAAトランジスタの試作開始と、同年末の先行評価用PDKのリリースがある。今回報じられたSRAMセルの開発状況が、これらの成果や今後の工程にどの程度影響するかは、公式情報だけでは判断できない。一方、資金面では2027年度の予算編成と融資交渉が次の重要な節目となる。
SRAMは、プロセッサが演算に必要なデータを高速に読み書きするキャッシュメモリなどに使われる半導体メモリで、SRAMセルはその1ビットを記憶する基本回路だ。AIやHPC(高性能計算)向けのプロセッサには、大容量のキャッシュを構成するため、多数のSRAMセルが集積されている。半導体の設計企業は、製造を委託するファウンドリが提供するPDKの設計ルールやトランジスタモデルを基に回路を設計するが、SRAMセルが安定して動作しなければ、キャッシュを含むチップ全体の設計や試作を進めるうえで制約となる。したがって、SRAMセルの動作確認は、顧客が新しい製造プロセスを採用できるか判断するための重要な検証項目の一つとなる。
SRAMセルの面積や集積密度は、半導体メーカー各社が新しい製造プロセスの性能を示す指標としても使ってきた。2025年2月の国際学会「ISSCC 2025」では、TSMCが2nm世代のSRAMについて38.1Mb/mm²の集積密度と0.021µm²のセル面積を発表し、Intelも18Aプロセスの高密度SRAMセルで0.021µm²を達成したと報告した。SRAMセルの微細化は2022年の3nm世代で停滞したとされていたが、両社の発表は、さらなる小型化が進み始めたことを示すものだった。Intelは論文で、GAA構造では用途に応じてトランジスタの幅を調整できると説明しており、こうした設計上の自由度がSRAMセルの高密度化にも関わっている。
Rapidusの実施計画では、2027年度後半の量産開始までにトランジスタ性能と歩留まりを「顧客獲得が十分可能な水準」まで引き上げるとしている。同社は60社以上の顧客候補と交渉を進めており、富士通とIBMも半導体生産などでRapidusを活用する意向を表明している。ただし、顧客候補の存在や利用意向の表明は、量産技術の完成や正式な製造契約の成立を意味するものではない。小池淳義社長自身も2026年2月の会見で、量産準備の進捗を「まだ1合目」と表現していた。SRAMセルの開発が遅れれば、顧客による製造プロセスの採用判断にも影響し、結果として量産に向けた民間資金の調達にも波及する可能性がある。
Rapidusに対する日本政府の支援は、主に研究開発などの委託費と出資という2つの形で進められてきた。NEDOを通じた委託費は2025年度までに約1.7兆円に達し、2026年度には前工程向け5,141億円、後工程向け1,174億円の計6,315億円が計上された。一方、IPAを通じた出資は、2025年度分の1,000億円が2026年2月27日に公表され、2026年度分の1,500億円についても同年6月5日に実行が発表された。民間企業からも32社が合計1,676億円を出資している。
2027年度については、約3,000億円の委託費が見込まれているものの、10月19日の財政投融資分科会資料では、まだ「予算要求」の段階にある。経済産業省は2027〜2028年度の政府支援の詳細について、研究開発・事業計画の進捗と民間からの資金調達状況を踏まえ、今後検討する方針を示している。2026年度には、3月に外部有識者によるステージゲート審査が実施され、前工程・後工程ともに進捗が十分と評価された後、4月11日にRapidusがNEDOによる計画と予算の承認を発表した。つまり、2027年度の委託費についても、予算の確保に加え、技術開発の進捗や民間資金の調達状況が判断材料となる。
民間融資は政府の委託費とは異なる仕組みで調達される。Rapidusは生産ラインの増強などに充てるため、民間金融機関から総額2兆円を借り入れる計画を立てており、このうち2027年度には4,000億円程度の調達を目指している。ただし、2兆円という金額は、前年に民間金融機関が提出した法的拘束力のない意向表明書に基づくものだ。10月19日の資料でも、実際の融資に向けて金融機関との調整と交渉が続いていると説明されており、融資契約や資金の実行が確定したわけではない。
大規模な融資を受けるうえでは、自己資本の充実も重要になる。借入金が増えれば、ほかの条件が同じ場合、総資産に占める自己資本の割合は低下するため、金融機関が求める財務健全性を維持するには追加の出資などが必要になる。こうした事情を踏まえ、IPAは財政投融資の産業投資を翌年度以降に合計4,000億円要求する方針を示している。ただし、これは複数年度にわたる要求額であり、毎年度の要求が認められることを前提としている。
このように、Rapidusが2027年度に見込む委託費約3,000億円と民間融資約4,000億円、合計約7,000億円は、いずれも現時点では確定していない。前者は政府の予算編成と事業計画の審査、後者は金融機関との交渉を経る必要がある。なお、この約7,000億円には、複数年度で要求する産業投資4,000億円や、年度ごとの調達額が示されていない民間出資1兆円規模の目標は含まれていない。これらは資金の性質や対象期間が異なるため、単純に合算して2027年度の調達予定額とみなすことはできない。
2026年度の実績を参考にすれば、2027年度の委託事業の計画・予算承認は、量産開始の目標期間である2027年10月〜2028年3月よりも前に行われる可能性が高い。民間融資についても、すでに金融機関との交渉が進められている。したがって、SRAMセルの開発遅延が事実であれば、その影響は量産開始時期の変更という形で表面化するより先に、2027年度の事業計画の審査や資金調達条件に現れる可能性がある。今回の報道を評価するうえでは、量産目標の維持・変更だけでなく、必要資金が予定どおり確保されるかを確認することが重要になる。
技術開発の遅れが直ちに資金調達へ影響するとは限らない。2026年3月の外部有識者によるステージゲート審査では、前工程・後工程ともに進捗が十分と評価されており、産業投資4,000億円の要求方針も今回の報道に先立つ10月19日に示されていた。赤澤亮正経済産業相は、Rapidusを「国益のために必ず成功させなければならない国家プロジェクト」と位置づけているほか、共同通信によると、4月11日には千歳市で事業が「順調に進捗している」との認識を示している。さらに、Rapidusの実施計画には、2030年度の2nm半導体の世界市場で需要に対して供給が約10〜30%不足するという、同社による2025年時点の試算も盛り込まれている。こうした政府の支援姿勢や市場見通しを踏まえれば、技術開発に多少の遅れが生じても資金支援は継続されるという見方には一定の根拠がある。
ただし、2026年3月のステージゲート審査は、今回の報道でSRAMセルの動作確認が必要だったとされる夏よりも前に実施されたものだ。審査の詳細は非公開であり、現在報じられている技術的な問題をどの程度織り込んでいたのか、外部から確認することはできない。政府が事業を強く支援していることは資金供給が途絶える可能性を低くする要因だが、委託費が予算要求の段階にあり、民間融資が交渉中であるという状況は変わらない。ここで問われるのは政府支援が打ち切られるかどうかではなく、2027年度に必要な資金が、いつ、どのような条件で確定するかという点である。
技術開発の遅れが資金計画に先行して影響するという見立ては、今後の3つの動きから検証できる。第一に、2027年度の政府予算案と財政投融資計画に、Rapidus向けの委託費約3,000億円と産業投資が要求どおり盛り込まれるか。第二に、2027年度のNEDOによる事業計画と予算の承認が、2026年度と同じ4月頃に発表されるか。第三に、量産開始の目標期間が始まる2027年10月より前に、民間融資4,000億円程度の実行が発表されるかである。これらがいずれも予定どおり進めば、少なくとも技術開発の遅れが資金計画の確定に先行して影響するという見立ては支持されないことになる。
Rapidusの事業の進捗状況は、量産開始までの間、おおむね3か月に1度の頻度で国会へ報告される予定だ。今後の報告でSRAMセルの動作確認や歩留まりの改善状況が明らかになれば、今回の報道で指摘された技術的な遅れの実態をより正確に評価できるようになる。同時に、政府の事業審査、予算の確定、民間融資の実行がどのように進むかも重要な判断材料となる。2027年度後半の量産開始という目標が実現可能なものかどうかは、技術開発の進展だけでなく、それを支える資金調達が計画どおり進むかによっても左右される。
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サポーターになる(¥580/月)Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) в прошлом году вложился в капитал стартапа Nagare Labs, который пытается разработать новый тип памяти, сочетающий лучшие характеристики DRAM, SRAM и флеш-памяти. Память типа Z2RAM обещает быть плотной как DRAM, быстрой как SRAM и масштабируемой, как флеш-память.
Источник изображения: Nagare Labs
По сути, как пояснил бывший глава Intel изданию The Register, на рынке технологий памяти существенных инноваций не наблюдалось на протяжении трёх последних десятилетий. Основные разработки сосредоточены вокруг SRAM, DRAM и флеш-памяти. Разрабатываемая Nagare Labs память Z2RAM должна быть почти такой же быстрой, как SRAM, близкой по плотности к DRAM, но при этом в производстве оставаться проще HBM или LPDDR.
С другой стороны, как признаёт Гелсингер, в случае с HBM сочетание плотности и быстродействия является лучшим на рынке, хотя данный тип памяти и имеет множество ограничений типа плотности, энергопотребления и пропускной способности на периферийных участках чипа. Z2RAM как собирается обеспечить более высокую плотность, быстродействие и меньшее энергопотребление.
Технология Nagare Labs базируется на оксидных полупроводниках и подразумевает интеграцию памяти непосредственно на вычислительные компоненты с использованием технологий сращивания в трёхмерной компоновке. Концептуально Z2RAM напоминает память 3D V-Cache, которую AMD устанавливает на свои процессоры Ryzen определённых моделей. В последнем случае в упаковке логического чипа размещается дополнительный слой с…